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J-GLOBAL ID：200903012724785186

縦型半導体素子

Inventor： 本多 隆 ,  樽茶 清悟 ,  ディ ガイ オースチン
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996296073
Publication number (International publication number)：1998144933
Application date： Nov. 08, 1996
Publication date： May. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】従来のような複雑な工程と特殊な作製技術を必要とせず、容易に作製でき、しかも単数又は複数のサイドゲートを任意に作製できる縦型半導体素子を提供する。【解決手段】半導体メサ構造上に形成された導電層から成る単数又は複数のリード線4、5を有し、かつ半導体メサ構造における導電層の下に位置する部分10、11の幅Wおよび不純物濃度を、該部分が完全に空乏化される範囲の値に形成した構成。リード線の下に位置するメサ構造の部分は空乏化されて絶縁状態になるので、リード線を容易に分離した状態で形成できる。そのため従来のように絶縁樹脂を用いた平坦化工程や平坦化後の樹脂のエッチングなどの複雑かつ特殊な技術を用いずに、簡便な作製工程で形成できる。また、絶縁化されたメサ構造で分離された複数のサイドゲート14、15を容易に形成できる。

Claim (excerpt)：

半導体メサ構造上に形成された導電層から成る単数もしくは複数のリード線を有し、かつ上記半導体メサ構造における上記導電層の下に位置する部分の幅および不純物濃度が、該半導体メサ構造における導電層の下に位置する部分を完全に空乏化する範囲の値に形成されたことを特徴とする縦型半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/80 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66

FI (4)：

H01L 29/80 A ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/80 V