Pat
J-GLOBAL ID:200903012726206191
半導体チップの外観検査方法および装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
青山 葆 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993333166
Publication number (International publication number):1995190739
Application date: Dec. 27, 1993
Publication date: Jul. 28, 1995
Summary:
【要約】【目的】 比較基準用チップと検査対象チップとを所定の照明レベルで撮像して、上記比較基準用チップの画像と上記検査対象チップの画像とを比較して欠陥を求める場合に、正確な欠陥判定を行うことができる半導体チップの外観検査方法を提供する。【構成】 照明レベルを複数設定して、複数の照明レベルL1,L2で得た比較基準用チップの画像と検査対象チップの画像とに基づいて欠陥を求める。また、上記比較基準用チップおよび検査対象チップの表面を、それぞれ反射率に応じて複数の分割領域に区画し、上記各分割領域毎に上記比較基準用チップの画像と検査対象チップの画像を比較する。
Claim (excerpt):
比較基準用チップと検査対象チップとを所定の照明レベルで撮像して、上記比較基準用チップの画像と上記検査対象チップの画像とを比較して欠陥を求める半導体チップの外観検査方法において、上記比較基準用チップの画像が示す平均濃淡レベルと上記検査対象チップの画像が示す平均濃淡レベルとの差を求め、この差を解消するように、上記検査対象チップの画像の濃淡レベルをシフトさせるオフセット補正を行うことを特徴とする半導体チップの外観検査方法。
IPC (4):
G01B 11/24
, G01N 21/88
, G06T 7/00
, H01L 21/66
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
-
パターン認識方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-040507
Applicant:株式会社不二越
Return to Previous Page