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J-GLOBAL ID：200903012733681407

薄膜トランジスタ基板およびその製造方法ならびに液晶表示パネルおよび液晶表示装置

Inventor： 山本 英明 ,  富田 好文 ,  中谷 光雄 ,  松丸 治男
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 中村 純之助 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991345088
Publication number (International publication number)：1993173181
Application date： Dec. 26, 1991
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】ゲート電極とソース、ドレイン電極とが短絡するのを防止する。【構成】下部透明ガラス基板SUB1にパラジウムを1原子%含むアルミニウムからなる第2導電膜g2を形成し、第2導電膜g2上に純粋なアルミニウムからなる金属膜MTFを形成し、第2導電膜g2、金属膜MTFを選択的にエッチングし、金属膜MTFを陽極酸化して、ゲート電極GTおよび陽極酸化膜AOFを形成する。

Claim (excerpt)：

薄膜トランジスタのゲート電極の端面を基板に対して傾斜させたことを特徴とする薄膜トランジスタ基板。

IPC (3)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/133 ,  G02F 1/1343