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J-GLOBAL ID：200903012737548728

結晶製造装置

Inventor： 浅見 政義 ,  道口 健太郎
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 藤元 亮輔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001292873
Publication number (International publication number)：2002326893
Application date： Sep. 26, 2001
Publication date： Nov. 12, 2002
Summary：

【要約】【課題】 優れた光学特性を有する単結晶を製造するために、水平又はやや上に凸の等温面を形成すると共に結晶成長の起点を一点に決定する結晶製造装置を提供する。【解決手段】 結晶性物質の原料を収納して結晶成長させる略円筒形状の坩堝であって、結晶成長が開始する前記坩堝の下部の外面側断面形状が上に凸であるか、下部にリング状の平板を有する坩堝と、前記坩堝の円筒面の周囲に沿って配置され、前記坩堝を介して前記原料を加熱して溶融する加熱部とを有する結晶製造装置を提供する。

Claim (excerpt)：

結晶性物質の原料を収納して結晶成長させる略円筒形状の坩堝であって、結晶成長が開始する前記坩堝の下部の外面側断面形状が上に凸である坩堝と、前記坩堝の円筒面の周囲に沿って配置され、前記坩堝を介して前記原料を加熱して溶融する加熱部とを有する結晶製造装置。

IPC (5)：

C30B 29/12 ,  C30B 15/10 ,  G02B 1/02 ,  G03F 7/20 502 ,  H01L 21/027

FI (5)：

C30B 29/12 ,  C30B 15/10 ,  G02B 1/02 ,  G03F 7/20 502 ,  H01L 21/30 515 D

F-Term (10)：

2H097CA13 ,  2H097GB00 ,  2H097LA10 ,  4G077AA02 ,  4G077BE02 ,  4G077CD02 ,  4G077EG01 ,  4G077HA01 ,  4G077MB04 ,  5F046CB12