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J-GLOBAL ID：200903012744157947
半導体シリコンウェーハの保管方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
石原 詔二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994217385
Publication number (International publication number)：1996083783
Application date： Sep. 12, 1994
Publication date： Mar. 26, 1996
Summary：
【要約】【目的】 ウェーハ表面への微粒子の付着が低減し、また研磨剤中のアルカリ成分によるウェーハ表面のエッチングが防止され、したがって、ウェーハ表面粗さ(マイクロラフネス)の悪化を防止することを可能とした半導体ウェーハの保管方法を提供する。【構成】 研磨後の半導体シリコンウェーハを、次の洗浄処理を行うまでの間、オゾンを含有した純粋中に保管する。
Claim (excerpt)：
研磨後の半導体シリコンウェーハを、次の洗浄処理を行なうまでの間、オゾンを含有した純水中に保管することを特徴とする半導体シリコンウェーハの保管方法。
IPC (2)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304
