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J-GLOBAL ID：200903012748479515

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 高野 浩志
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992007189
Publication number (International publication number)：1993211158
Application date： Jan. 20, 1992
Publication date： Aug. 20, 1993
Summary：

【要約】【目的】バイポーラトランジスタのエミッタコンタクトとなるN+ 型層を低温で形成する。【構成】N型シリコン基板1にN- 型エピタキシャル層2を成長し、二酸化シリコン膜3を形成したのち、P型MBE層4およびP- 型MBE層5を成長する。つぎに二酸化シリコン膜6およびCVD窒化シリコン膜8を形成したのち、フォトレジスト9をマスクとして、エミッタを開口する。つぎにMBE装置において、常温でアンチモンドープアモルファスシリコンを堆積したのち、730°Cの熱処理で固相成長させてエピタキシャル/ポリシリコン界面のあるN+ 型層10を形成し、パターニングしてエミッタコンタクトとする。

Claim (excerpt)：

アンチモンドープエピタキシャル層の上にアンチモンドープアモルファスシリコン層が形成されたエミッタがベース層の上に形成されたNPNバイポーラトランジスタを含む半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/203

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平1-187864
  
• 特開平2-036526
  
• 特開昭61-089667
  
• 特開昭59-186367