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J-GLOBAL ID：200903012757625710

相変化材料及び誘電体材料から成る記憶材料を用いた記憶素子

Inventor： オヴシンスキー、 スタンフォード アール. ,  チュバティ、 ウォロディミュール ,  ストランド、 デイヴィッド エイ. ,  クラースィー、 パトリック ジェイ. ,  コスティレフ、 セルゲイ ,  パシュマコフ、 ボイル
Applicant, Patent owner： エナージー コンバーション デバイセス インコーポレイテッド
Agent (1)： 三好 秀和 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000544500
Publication number (International publication number)：2002512439
Application date： Apr. 20, 1999
Publication date： Apr. 23, 2002
Summary：

【要約】単一セル記憶素子(30)を限定している記憶材料本体(36)、並びに記憶材料本体の少なくとも一部分に電気信号を伝達する手段(6、8A)とから構成され、記憶材料は相変化材料及び誘電体材料の不均質混合物から成ることを特徴とする、電気的に作動される単一セル記憶素子が開示されている。単一セル記憶素子(30)を限定している記憶材料本体(36)、並びに記憶材料本体の少なくとも一部分に電気信号を伝達する手段(6、8A)とから構成され、記憶材料は相変化材料及び誘電体材料から成り、相変化材料は、複数の検出可能な固有抵抗値を有し、且つ電気信号に応じて、特別な初期又は消去固有抵抗値に設定する必要なく、材料のそれ以前の固有抵抗値に無関係に、複数の固有抵抗値の一つに直接に設定できるものであることを特徴とする、電気的に作動される単一セル記憶素子が開示されている。

Claim (excerpt)：

単一セル記憶素子を限定している記憶材料本体と、前記記憶材料本体の少なくとも一部分に電気信号を伝達する手段とから成り、前記記憶材料は相変化材料と誘電体材料との不均質混合物から成る、電気的に作動される単一セル記憶素子。

F-Term (7)：

5F083FR01 ,  5F083JA06 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083PR40