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J-GLOBAL ID：200903012766804261

半導体装置の製造方法

Inventor： 小林 倫子 ,  福山 俊一 ,  大倉 嘉之
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992226242
Publication number (International publication number)：1994077208
Application date： Aug. 25, 1992
Publication date： Mar. 18, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 主にシルアルキレン樹脂で形成された樹脂膜を用い、樹脂膜にダメージを与えず、密着強度の大きな積層絶縁膜を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 一部の配線を形成した半導体集積回路基板上に、5千〜500万の重量平均分子量を有する、(R1 はH,OH、低級アルキル基または低級アルコキシ基、R2 はアルキレン基、R3 は低級アルキル基やフェニル基を用いたトリオルガノシリル基、nは正の整数を表す)の有機硅素重合体を主成分とする樹脂層を塗布し、熱硬化して樹脂絶縁層を形成する工程と、該樹脂絶縁層の上に無機絶縁膜をイオンビームアシストによる真空蒸着によって堆積する工程とを含む。

Claim (excerpt)：

少なくとも一部の配線を形成した半導体集積回路基板上に、5,000〜5,000,000の重量平均分子量を有する、一般式【化1】(ただし、R1 は水素、ヒドロキシル基、低級アルキル基または低級アルコキシ基、R2 はアルキレン基、R3 は低級アルキル基、またはフェニル基を用いたトリオルガノシリル基、nは正の整数を表す)で表わされる有機硅素重合体を主成分とする樹脂層を塗布し、熱硬化して樹脂絶縁層を形成する工程と、該樹脂絶縁層の上に無機絶縁膜をイオンビームアシストによる真空蒸着によって堆積する工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/312 ,  C09D183/04 PMS ,  H01L 21/90