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J-GLOBAL ID：200903012771598718

半導体ウェーハの赤外吸収測定法

Inventor： 竹下 真理子
Applicant, Patent owner： 三菱住友シリコン株式会社
Agent (1)： 森 正澄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001144686
Publication number (International publication number)：2002340794
Application date： May. 15, 2001
Publication date： Nov. 27, 2002
Summary：

【要約】【課題】 検出感度を向上させるための不純物測定用の厚い試料を別に準備することなく、半導体ウェーハ形状・厚みのままで1014atoms/cm3レベルの不純物を測定することが可能となる方法を提供すること。【解決手段】 半導体ウェーハに赤外光を透過させて、前記半導体ウェーハを評価する赤外吸収測定法において、前記半導体ウェーハのウェーハ平面に対して平行方向に赤外光を透過させる半導体ウェーハの赤外吸収測定法。

Claim (excerpt)：

半導体ウェーハに赤外光を透過させて、前記半導体ウェーハを評価する赤外吸収測定法において、前記半導体ウェーハのウェーハ平面に対して平行方向に赤外光を透過させることを特徴とする半導体ウェーハの赤外吸収測定法。

IPC (4)：

G01N 21/35 ,  G01N 21/01 ,  H01L 21/66 ,  G01N 21/956

FI (4)：

G01N 21/35 Z ,  G01N 21/01 B ,  H01L 21/66 L ,  G01N 21/956 A

F-Term (20)：

2G051AA51 ,  2G051AB02 ,  2G051AB06 ,  2G051BA06 ,  2G051CA02 ,  2G051CB02 ,  2G059AA05 ,  2G059BB16 ,  2G059CC20 ,  2G059DD13 ,  2G059EE01 ,  2G059EE12 ,  2G059GG00 ,  2G059HH01 ,  2G059HH06 ,  2G059KK01 ,  4M106AA01 ,  4M106BA08 ,  4M106CB01 ,  4M106DH13