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J-GLOBAL ID：200903012779729765

接合型半導体素子

Inventor： 三戸 美生
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 粟野 重孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993065765
Publication number (International publication number)：1994283750
Application date： Mar. 25, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】 放射線や光のエネルギーを電気量に変換する接合型半導体素子の放射線に対する感度・分解能の向上と、光に対する応答速度の向上。【構成】 シリコン単結晶基板1の全面に膜厚100nm〜300nmの非晶質シリコンカーバイト膜2を平行平板型プラズマCVD装置で形成する。両面にオーミック電極としてのアルミニウム膜3を抵抗加熱蒸着装置で形成する。

Claim (excerpt)：

単結晶半導体基板上に膜厚100nm〜300nmの非晶質半導体薄膜を積層してなることを特徴とする接合型半導体素子。

IPC (2)：

H01L 31/10 ,  H01L 31/09

FI (2)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-222179
  
• 特開昭59-008892
  
• 特開昭64-081276