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J-GLOBAL ID：200903012783942236

半導体装置の作製方法及び水素処理装置

Inventor：
先崎 純寿

About 先崎 純寿

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福田 憲司

About 福田 憲司

, 
石橋 啓次

About 石橋 啓次


Applicant, Patent owner：
独立行政法人産業技術総合研究所

About 独立行政法人産業技術総合研究所

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アネルバ株式会社

About アネルバ株式会社


Agent (1)： 小越 勇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004091040
Publication number (International publication number)：2005277253
Application date： Mar. 26, 2004
Publication date： Oct. 06, 2005
Summary：
【要約書】【課題】 半導体基板上に形成された金属-絶縁膜又は酸化膜-半導体構造を有する半導体装置に対して、高温に加熱された熱触媒体表面での水素を含んだガスの熱触媒作用によって生成された活性化した水素を用いることにより、ゲート絶縁膜/半導体界面近傍に存在するダングリングボンドの水素終端を図り、界面準位密度を低減させる水素処理装置及びその作製方法を提供する。【解決手段】 半導体基板の近傍に熱触媒体を配置し、水素又は水素を含むガスを前記熱触媒体の近傍を通過させるようにして、加熱された熱触媒体表面での熱触媒作用により活性化した水素を生成させ、当該活性化した水素を前記半導体基板に供給することにより、低温にて上記ゲート絶縁膜と上記半導体界面の界面準位密度を低減させ、実際の使用に十分耐え得る良好なゲート絶縁膜/半導体界面を形成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程を含む半導体装置の作製方法において、半導体基板上にゲート絶縁膜を形成した工程の後に、水素又は水素を含むガスを前記半導体基板の近傍に配置した熱触媒体の近くに通過させて、該加熱された熱触媒体表面での熱触媒作用により活性化した水素を生成させ、当該活性化した水素を半導体基板に供給することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (4)：
H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324
FI (5)：
H01L29/78 301G ,  H01L21/316 P ,  H01L21/322 Z ,  H01L21/324 G ,  H01L29/78 301F
F-Term (34)：
5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BH02 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA00 ,  5F140AC39 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA03 ,  5F140BA04 ,  5F140BA05 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA09 ,  5F140BA16 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD06 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD10 ,  5F140BD20 ,  5F140BE02 ,  5F140BE03 ,  5F140BE07 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (7)
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