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J-GLOBAL ID：200903012797924923

半導体素子の組立方法

Inventor： 高橋 一智
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995243995
Publication number (International publication number)：1997055395
Application date： Aug. 10, 1995
Publication date： Feb. 25, 1997
Summary：

【要約】【目的】 ワイヤーボンディングにおいて絶縁被覆ワイヤーと、半導体素子電極および外部接続端子との接合強度を高める。【構成】 絶縁被覆Auワイヤー32に、クランパー33とキャピラリー35の間の照射位置1でエキシマレーザを照射した後、Auワイヤー32の先端部とトーチ電極36の間で放電37を発生させて前記先端部を溶かすことによりAuボールを作る。この場合、Auワイヤーの被覆膜除去範囲を複数の平面鏡で包囲し、平面鏡で反射させたエキシマレーザを前記被覆膜除去範囲に照射することにより、1度の照射で被覆膜除去範囲について、その全周の被覆膜を除去する。被覆膜をエキシマレーザ照射により除去するため、所定位置の被覆膜全体を的確に除去することができ、Auボール表面に被覆膜の残骸が発生することがない。

Claim (excerpt)：

アイランド上に半導体素子を実装し、半導体素子に電極を、アイランドの外周に外部との接続用の端子をそれぞれ設け、前記半導体素子電極と前記外部接続端子との間を、絶縁被覆ワイヤーを使用してワイヤーボンディングにより接続する方法において、ワイヤーボンディングを行う前に、前記絶縁被覆ワイヤーにおける前記半導体素子電極との接続部の被覆膜、および前記外部接続端子との接続部の被覆膜を、エキシマレーザ照射により除去することを特徴とする半導体素子の組立方法。

IPC (2)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60

FI (4)：

H01L 21/60 301 D ,  H01L 21/60 301 C ,  H01L 21/60 301 F ,  H01L 21/60 301 G