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J-GLOBAL ID：200903012805756466

積層型インピーダンス素子

Inventor： 大学 元
Applicant, Patent owner： 株式会社トーキン
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996269283
Publication number (International publication number)：1998092645
Application date： Sep. 18, 1996
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】 近接する内部導体層間および内部導体と外部電極間に生ずる浮遊容量を低減して、高周波領域でもインピーダンスの低下がなく、優れたノイズ吸収特性を有する積層型インピーダンス素子を供すること。【解決手段】 近接する内部導体1間および内部導体1と外部電極4間に低誘電率層3を形成する。

Claim (excerpt)：

磁性体層と導電体層を積層し、焼成することにより、螺旋状の導電体のコイルを磁性体中に設けた表面実装用積層型インピーダンス素子において、前記素子内部に前記磁性体よりも低い誘電率を持つ低誘電率層を形成したことを特徴とする積層型インピーダンス素子。

IPC (3)：

H01F 17/00 ,  H01B 3/12 ,  H01F 37/00

FI (3)：

H01F 17/00 D ,  H01B 3/12 ,  H01F 37/00 D