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J-GLOBAL ID：200903012808455068

固体撮像素子の製造方法

Inventor： 小谷 浩司
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999164800
Publication number (International publication number)：2000353798
Application date： Jun. 11, 1999
Publication date： Dec. 19, 2000
Summary：

【要約】【課題】 固体撮像素子の製造方法に関し、例えば、CCDデバイス構造を有する平坦化膜面にマイクロレンズ材を密着良好に形成させる固体撮像素子の製造方法に関するものである。【解決手段】 半導体基板上に、固体撮像デバイス構造、有機平坦化膜及びマイクロレンズ材を順次形成させてなる固体撮像素子の製造方法において、前記固体撮像デバイス構造上に前記有機質平坦化膜を形成させた後、前記有機平坦化膜上に酸素(O2 )プラズマアッシング処理を行い、次いで前記マイクロレンズを形成する固体撮像素子の製造方法を提供する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、固体撮像デバイス構造、有機平坦化膜及びマイクロレンズ材を順次形成させてなる固体撮像素子の製造方法において、前記固体撮像デバイス構造上に前記有機質平坦化膜を形成させた後、前記有機平坦化膜上に酸素(O2 )プラズマアッシング処理を行い、次いで前記マイクロレンズを形成することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。

F-Term (10)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118CA04 ,  4M118CA32 ,  4M118EA20 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA35 ,  4M118GD04