Pat
J-GLOBAL ID:200903012809875370
半導体装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
井上 一 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002010331
Publication number (International publication number):2003218110
Application date: Jan. 18, 2002
Publication date: Jul. 31, 2003
Summary:
【要約】【課題】 高品質の新規な半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明の半導体装置100は、基板10の上方に形成されたパッド20と、パッド20の一部を覆うように形成され、少なくとも第1絶縁層24を含むパッド絶縁層18と、パッド20上のパッド絶縁層18に形成された開口部50とを含む。開口部50の側壁は、第1絶縁層24に比して吸湿性が低い保護層28で覆われている。
Claim (excerpt):
基板の上方に形成されたパッドと、前記パッドの一部を覆うように形成され、少なくとも第1絶縁層を含むパッド絶縁層と、前記パッド上の前記パッド絶縁層に形成された開口部と、を含み、前記開口部の側壁は、前記第1絶縁層に比して吸湿性が低い保護層で覆われている、半導体装置。
IPC (4):
H01L 21/3205
, H01L 21/60 301
, H01L 21/768
, H01L 21/82
FI (5):
H01L 21/60 301 P
, H01L 21/88 T
, H01L 21/88 Z
, H01L 21/90 J
, H01L 21/82 F
F-Term (22):
5F033HH08
, 5F033HH33
, 5F033MM05
, 5F033PP15
, 5F033QQ09
, 5F033QQ25
, 5F033QQ37
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR09
, 5F033RR14
, 5F033RR25
, 5F033SS15
, 5F033TT02
, 5F033TT04
, 5F033TT07
, 5F033VV11
, 5F033XX18
, 5F044EE08
, 5F064FF27
, 5F064FF42
, 5F064GG10
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