半導体装置及び半導体装置の素子間分離溝の形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松隈秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997003216
Publication number (International publication number)：1998199968
Application date： Jan. 10, 1997
Publication date： Jul. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】半導体装置をより小形化することを目的とする。【解決手段】半導体基板9上に素子間分離能力が比較的高く必要な所には比較的幅広で比較的深い素子間分離溝8を形成すると共に素子間分離能力が比較的低く必要な所には比較的幅狭で比較的浅い素子間分離溝12を形成するようにし、より小形にできるようにしたものである。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に素子間分離能力が比較的高く必要な所には比較的幅広で比較的深い素子間分離溝を形成すると共に素子間分離能力が比較的低く必要な所には比較的幅狭で比較的浅い素子間分離溝を形成するようにし、より小形にできるようにしたことを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-117062 Applicant：富士通株式会社
特開昭60-092632
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-036976 Applicant：松下電子工業株式会社

Show all

Return to Previous Page