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J-GLOBAL ID：200903012847781789
基板裏面への堆積を減少させる処理装置及び処理方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995153293
Publication number (International publication number)：1996081775
Application date： Jun. 20, 1995
Publication date： Mar. 26, 1996
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 基板をより均一に加熱し、基板のエッジ及び裏面に堆積する物質を減らす、改良された装置及び方法を提供。【構成】 チャンバ内14の基板支持体は、ヒーターペデスタルの形態であり、基板の下面を受けるための基板受容面を有する。この周囲を制限するシャドーリング24は、ペデスタル61の周囲に配置され、基板の端面エッジ部分を覆う。このシャドーリング24はまた、基板の端面エッジでペデスタル61とシャドーリング24自身の間のキャビティーを画成し、操作に際しては、チャンバ14は第1の圧力で処理ガスを受容し、第1の圧力よりも高い第2の圧力で、シャドーリング24とペデスタル61との間のキャビティー内にパージガスが導入される。パージガスの流れを基板の端面エッジからより遠ざけるために、流体導管が具備される。
Claim (excerpt)：
外周エッジと処理のための上面と下面とを有する基板を処理するための基板処理装置であって、(a)操作中に処理ガスを受容するチャンバを画成するハウジングと、(b)該チャンバ内にあり該基板の該下面を受容する基板受容面を有する基板支持体と、(c)該基板支持体を制限して、該基板支持体との間にキャビティーを画成し、該基板の該外周エッジに隣接する基板支持体制限リングと、(d)該基板の該外周エッジでパージガスを該チャンバ内に導入するためのパージガス供給手段と、(e)パージガスの流れを該基板の該外周エッジから離れさせることを促進することにより、パージガスの導入と流れとが、該基板の該外周エッジ及び該下面への該チャンバ内処理ガスの接触を減少させる、少なくとも1つの流体通路とを備える基板処理装置。
IPC (3)：
C23C 16/44
, H01L 21/205
, H01L 21/285
