Pat

J-GLOBAL ID：200903012851843616

エピタキシャル結晶を備えた半導体基板

Inventor： 杉山 巌
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993053516
Publication number (International publication number)：1994267998
Application date： Mar. 15, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 エピタキシャル結晶を備えた半導体基板に関し、Si基板にCdTe結晶をエピタキシャル成長した半導体基板に於いて、双晶が発生し難いCdTe結晶面と成るような半導体基板の提供を目的とする。【構成】 面方位が(115)面のSi基板2上に(331)面、または(112)のCdTe結晶(17-1,17-2) をエピタキシャル成長して構成する。

Claim (excerpt)：

面方位が(115)面の半導体基板(12)上に、(331)面,または(112)面の化合物半導体結晶(17-1,17-2) をエピタキシャル成長してなることを特徴とするエピタキシャル結晶を備えた半導体基板。

IPC (3)：

H01L 21/36 ,  H01L 21/203 ,  H01L 31/10