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J-GLOBAL ID：200903012854930528

有機金属気相成長方法及び有機金属気相成長装置

Inventor： 渡辺 明禎
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994226218
Publication number (International publication number)：1996097149
Application date： Sep. 21, 1994
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】原料ガスを効率的に使用することができる有機金属気相成長方法を提供すること。【構成】高圧ボンベ1からアンモニアを、有機金属のTMGaのバブラー2からTMGaをそれぞれ反応管12に供給し、反応管12内の圧力を圧力センサー9、圧力コントローラ10、可変コンダクタンスバルブ11により、常に陽圧にしてサファイア基板7上に化合物半導体を成長させるようにした有機金属気相成長方法。

Claim (excerpt)：

原料の少なくとも一種類に有機金属を用い、反応系の圧力を陽圧にして、基板上に化合物半導体を成長させることを特徴とする有機金属気相成長方法。