半導体発光素子および発光ダイオード

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：福田賢三 , 福田伸一 , 福田武通
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004141779
Publication number (International publication number)：2004363572
Application date： May. 12, 2004
Publication date： Dec. 24, 2004
Summary：

【課題】発光素子が大型であっても、発光強度の面内均一性、特に中央付近の均一性を改善することができ、輝度を向上させることができるようにする。【解決手段】この発明の半導体発光素子は、裏面に第1の電極15が形成された半導体基板11と、半導体基板11上に形成された、発光部12を含む半導体層13と、半導体層13の表面の一部に分配して形成されその半導体層13とオーミック接触をなす分配電極17と、半導体層13の表面と分配電極17とを覆って形成されその分配電極17と導通する透明導電膜14と、透明導電膜14の表面の一部に形成されその透明導電膜14と導通する台座電極16とを有する半導体発光素子において、半導体層13の光を取り出す表面(発光面)の1辺が0.8mm以上であり、台座電極16は、透明導電膜14の外周から0.3mm以内の領域に複数配置されている、ことを特徴としている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

裏面に第1の電極が形成された半導体基板と、前記半導体基板上に形成された、発光部を含む半導体層と、前記半導体層の表面の一部に分配して形成されその半導体層とオーミック接触をなす分配電極と、前記半導体層の表面と前記分配電極とを覆って形成されその分配電極と導通する透明導電膜と、前記透明導電膜の表面の一部に形成されその透明導電膜と導通する台座電極とを有する半導体発光素子において、前記半導体層の光を取り出す表面(発光面)の1辺が0.8mm以上であり、台座電極は、透明導電膜の外周から0.3mm以内の領域に複数配置されている、ことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1)：

H01L33/00

FI (1)：

H01L33/00 E

F-Term (11)：

5F041AA05 , 5F041CA04 , 5F041CA08 , 5F041CA12 , 5F041CA34 , 5F041CA53 , 5F041CA65 , 5F041CA85 , 5F041CA88 , 5F041CA93 , 5F041DA07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

発光ダイオード、ランプおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-220222 Applicant：昭和電工株式会社

Cited by examiner (5)

発光ダイオード、ランプおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-220222 Applicant：昭和電工株式会社
III族窒化物系化合物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-101990 Applicant：豊田合成株式会社
特開昭62-141788

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