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J-GLOBAL ID：200903012859625502

透過液晶パネル、画像表示装置、パネル製造方法

Inventor：
白石 靖志

About 白石 靖志


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999279517
Publication number (International publication number)：2001100250
Application date： Sep. 30, 1999
Publication date： Apr. 13, 2001
Summary：
【要約】【課題】 上方から下方に光線が透過されるアクティブマトリクス方式の透過液晶パネルにおいて、光線が薄膜トランジスタに照射されて動作が阻害されることを防止する。【解決手段】 薄膜トランジスタ203に上方から入射する光線を、高反射性の上部金属膜207だけでなく低透光性の光遮断膜216でも遮断する。透明基板201の下面などで反射された光線が上部金属膜207の下面や下部遮光膜202の上面で多重反射されると薄膜トランジスタ203まで到達する迷光となることがあるが、上部金属膜207より下方で薄膜トランジスタ203より上方には低反射性の光遮断膜216が位置しており、下部遮光膜202より上方で薄膜トランジスタ203より下方には低反射性の光吸収膜215が位置しているので、薄膜トランジスタ203まで到達する迷光も発生しない。
Claim (excerpt)：
絶縁性の透明基板より上方に、高耐熱性かつ低透光性の下部遮光膜と、データ電極とゲート電極とドレイン電極とが接続されている薄膜トランジスタと、前記データ電極をシールドする高反射性の上部金属膜と、上面が平坦化されている平坦化層と、前記薄膜トランジスタのドレイン電極に接続されている個別電極と、この個別電極を介して前記薄膜トランジスタにより駆動される封入液晶と、この封入液晶を介して前記個別電極と対向している共通電極と、この共通電極が下面に形成されていて前記封入液晶を封入している透明な対向基板と、が少なくとも順番に位置しており、上方から下方に光線が透過される透過液晶パネルであって、前記上部金属膜より低透光性かつ低反射性の光遮断膜が前記薄膜トランジスタより上方で前記上部金属膜より下方の位置に形成されていることを特徴とする透過液晶パネル。
IPC (5)：
G02F 1/1368 ,  G02F 1/13 505 ,  G02F 1/1335 500 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 349
FI (5)：
G02F 1/13 505 ,  G02F 1/1335 500 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 349 D ,  G02F 1/136 500
F-Term (38)：
2H088EA15 ,  2H088HA08 ,  2H088HA14 ,  2H088MA20 ,  2H091FA34Y ,  2H091FB08 ,  2H091FD04 ,  2H091FD06 ,  2H091GA13 ,  2H091LA03 ,  2H091MA07 ,  2H092HA03 ,  2H092JA26 ,  2H092JB51 ,  2H092KA04 ,  2H092KB21 ,  2H092NA11 ,  2H092PA09 ,  2H092RA05 ,  5C094AA02 ,  5C094AA16 ,  5C094AA25 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA16 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EA07 ,  5C094EA10 ,  5C094EB02 ,  5C094ED15 ,  5C094FB02 ,  5C094FB12 ,  5C094GA10 ,  5C094GB10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 液晶表示パネル
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-247295   Applicant：セイコーエプソン株式会社
  • 表示装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-273456   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
  • アクテイブマトリクス表示素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-200842   Applicant：シヤープ株式会社
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