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J-GLOBAL ID：200903012861701054

ダイヤモンド膜製造装置およびダイヤモンド膜製造方法

Inventor： 山元 稔 ,  中村 聡 ,  伊藤 信衛
Applicant, Patent owner： 日本電装株式会社
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993274985
Publication number (International publication number)：1995101798
Application date： Oct. 05, 1993
Publication date： Apr. 18, 1995
Summary：

【要約】【目的】高品質のダイヤモンド膜を高速かつ平坦性よく成膜すること。【構成】図1で、真空容器5内のプラズマジェット(PJ)ガン1の下には、窒化ボロン製絶縁体40、炭素源ガス導入部32、基板2及び銅製基板支持台3が設置され、電極(正極)10 に、プラズマガスを絞ってPJガスとするプラズマ噴出口18があり、炭素源ガス導入口19が同心状で配設され、PJガスに水素と炭化水素の混合ガスが供給される。ガス導入部32も下流でPJガスの周辺に上記混合ガスを供給する。ガス導入部32と基板2との間の最適距離は、真空容器5内やアーク電力、基板2の冷却状態により変化するが、ガス導入部32を基板2の上方の10〜80mmの間に設置することで、成膜するダイヤモンド膜の平坦化効果が得られる。炭素源ガスは、導入口19とガス導入部32の2箇所より分配するが、その分配比率も成膜する膜の平坦化効果に影響し、1:1 から1:4 の範囲で効果が得られた。

Claim (excerpt)：

真空容器と、該真空容器内に対置させた正極部および負極間にアーク放電を起こすアーク放電機構とを有し、アーク放電時に少なくとも非成膜性のプラズマ源ガスを噴流させると共に前記正極部分より炭素源ガスを含流させて、該ガスプラズマ下流に配置した基板に吹き付けるガス供給手段を備えたダイヤモンド膜製造装置において、前記炭素源ガスの導入口が、前記正極部の第一の正極に設けられた第一導入口と、第二の正極に設けられた第二導入口とから成り、前記第二導入口の位置が、前記第一導入口の位置と前記基板との中間の位置に設置されていることを特徴とするダイヤモンド膜製造装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-131598
  
• 特開平3-088799
  
• ダイヤモンド膜の製造装置および製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-058824   Applicant：日本電装株式会社