酸化硅素膜形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997140664
Publication number (International publication number)：1998335325
Application date： May. 29, 1997
Publication date： Dec. 18, 1998
Summary：

【要約】【課題】シリコンの熱酸化が不可能な低温工程で良質な酸化膜を得る。【解決手段】気相堆積法にて酸化硅素膜を堆積した後、該酸化硅素膜を水素のハロゲン化物を含む雰囲気下にて熱処理を施す。

Claim (excerpt)：

気相堆積法にて酸化硅素膜を堆積する第一工程と、該酸化硅素膜を水素のハロゲン化物を含む雰囲気下にて熱処理を施す第二工程とを少なくとも含む事を特徴とする酸化硅素膜形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5)：

H01L 21/316 P , H01L 29/78 617 S , H01L 29/78 617 T , H01L 29/78 617 V , H01L 29/78 627 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開昭64-035959
特開平4-324632
特開昭64-035959

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