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J-GLOBAL ID:200903012888235411

光電変換素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999046570
Publication number (International publication number):2000243994
Application date: Feb. 24, 1999
Publication date: Sep. 08, 2000
Summary:
【要約】【課題】 有用な光電変換素子を提供する。【解決手段】 この光電変換素子は、入射光に感応してキャリアを発生するpn接合を備えた光電変換素子において、pn接合は互いに隣接したp型Cu2O領域1p及びn型TiO2領域1nを備えており、光電変換効率を向上させることができる。
Claim (excerpt):
入射光に感応してキャリアを発生するpn接合を備えた光電変換素子において、前記pn接合は互いに隣接したp型Cu2O領域及びn型TiO2領域を備えることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2):
H01L 31/04 ,  H01L 31/10
FI (2):
H01L 31/04 E ,  H01L 31/10 A
F-Term (14):
5F049MA02 ,  5F049MB01 ,  5F049MB12 ,  5F049NA01 ,  5F049PA04 ,  5F049PA07 ,  5F049PA15 ,  5F049SE04 ,  5F051AA07 ,  5F051AA16 ,  5F051CB12 ,  5F051CB15 ,  5F051DA03 ,  5F051FA04

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