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J-GLOBAL ID:200903012888235411
光電変換素子
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999046570
Publication number (International publication number):2000243994
Application date: Feb. 24, 1999
Publication date: Sep. 08, 2000
Summary:
【要約】【課題】 有用な光電変換素子を提供する。【解決手段】 この光電変換素子は、入射光に感応してキャリアを発生するpn接合を備えた光電変換素子において、pn接合は互いに隣接したp型Cu2O領域1p及びn型TiO2領域1nを備えており、光電変換効率を向上させることができる。
Claim (excerpt):
入射光に感応してキャリアを発生するpn接合を備えた光電変換素子において、前記pn接合は互いに隣接したp型Cu2O領域及びn型TiO2領域を備えることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2):
FI (2):
H01L 31/04 E
, H01L 31/10 A
F-Term (14):
5F049MA02
, 5F049MB01
, 5F049MB12
, 5F049NA01
, 5F049PA04
, 5F049PA07
, 5F049PA15
, 5F049SE04
, 5F051AA07
, 5F051AA16
, 5F051CB12
, 5F051CB15
, 5F051DA03
, 5F051FA04
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