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J-GLOBAL ID：200903012898990978

配線基板とそれを用いた半導体素子収納用パッケージおよびその実装構造

Inventor： 米倉 秀人 ,  山口 浩一 ,  浜田 紀彰 ,  窪田 武志 ,  國松 廉可
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995195206
Publication number (International publication number)：1997017904
Application date： Jul. 31, 1995
Publication date： Jan. 17, 1997
Summary：

【要約】【課題】有機樹脂を含有する外部電気回路基板に対する電気的接続が不安定であり、また高熱膨張の絶縁基板を高品質で且つ安価に製造する方法について検討されていない。【解決手段】Cuなどのメタライズ配線層を絶縁基板の表面あるいは内部に配設した配線基板あるいは半導体素子収納用パッケージにおいて、絶縁基板をLi2Oを5〜30重量%含有し、屈伏点が400°C〜800°Cのリチウム珪酸ガラスを20〜80体積%と、40°C〜400°Cにおける線熱膨張係数が6ppm/°C以上の金属酸化物を含むフィラーを80〜20体積%の割合で含む成形体を焼成して得られた40°C〜400°Cにおける線熱膨張係数が8〜18ppm/°Cの焼結体により構成し、これを少なくとも有機樹脂を含む絶縁体の表面に配線導体が被着形成された外部電気回路基板上に実装する。

Claim (excerpt)：

絶縁基板の表面あるいは内部にメタライズ配線層が配設された配線基板において、前記絶縁基板が、Li2 Oを5〜30重量%含有し、屈伏点が400°C〜800°Cのリチウム珪酸ガラスを20〜80体積%と、40°C〜400°Cにおける線熱膨張係数が6ppm/°C以上の金属酸化物を含むフィラーを80〜20体積%の割合で含む成形体を焼成して得られた40°C〜400°Cにおける線熱膨張係数が8〜18ppm/°Cの焼結体からなることを特徴とする配線基板。

IPC (2)：

H01L 23/12 ,  H05K 1/03 610

FI (2)：

H01L 23/12 L ,  H05K 1/03 610 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-012091
  
• 特開昭60-240189
  
• ガラスセラミックス及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-217419   Applicant：三井鉱山株式会社