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J-GLOBAL ID：200903012899187672

密着結合領域の付近に電極を持つ半導体光デバイス及びその作製方法

Inventor： 古川 幸生 ,  尾内 敏彦
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 加藤 一男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998201169
Publication number (International publication number)：2000022273
Application date： Jul. 01, 1998
Publication date： Jan. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】固相接合技術を用いて、生産性、歩留まりが良く、アレイ化に適した電極配置を持つ半導体光デバイス及びその作製方法である。【解決手段】第1の基体は、活性層17を含む少なくとも1つの突起部21と突起部21の近くに形成された第1の接合部材25、27を含む。第2の基体は、第2の基板51と第1の接合部材25、27と対応する位置に設けられた第2の接合部材59、61を含む。第1、第2の基体が接着されて、突起部21の最表面と第2の基体の最表面とが電気的結合を達成する様に密着結合し、かつ、第1、第2の接合部材25、27、59、61同士が接合する。突起部21の最表面と第2の基体の最表面との密着結合領域の付近の第2の基体の最表面上に、突起部21と電気的に接続された電極59が設けられている。

Claim (excerpt)：

活性層を含む少なくとも1つの突起部と該突起部の近くに形成された第1の接合部材を含む第1の基体、および、第2の基板と第1の接合部材と対応する位置に設けられた第2の接合部材を含む第2の基体からなり、突起部の最表面と第2の基板の最表面とが電気的結合を達成する様に密着結合し、かつ、第1、第2の接合部材同士が接合するように、第1、第2の基体が接着され、更に、突起部の最表面と第2の基板の最表面との密着結合領域の付近の第2の基板の最表面上に突起部と電気的に接続された電極が設けられていることを特徴とする半導体光デバイス。

F-Term (14)：

5F073AA07 ,  5F073AA51 ,  5F073AA65 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073AB06 ,  5F073AB17 ,  5F073CA07 ,  5F073CA12 ,  5F073DA16 ,  5F073DA35 ,  5F073EA04 ,  5F073EA14 ,  5F073FA18