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J-GLOBAL ID:200903012913239044
洗浄組成物及びそれを用いた半導体基板の洗浄方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
長谷川 曉司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995069856
Publication number (International publication number):1995324198
Application date: Mar. 28, 1995
Publication date: Dec. 12, 1995
Summary:
【要約】【構成】 水を電気分解してなる電解イオン水とフッ素化合物(例えば、フッ酸およびフッ化アンモニウムのうちから選ばれる少なくとも一種)とを含有することを特徴とする洗浄組成物及び該洗浄組成物を用いる半導体基板の洗浄方法。【効果】 フッ素化合物の効果により金属汚染に対して非常に良好な洗浄力を発揮するため、電気特性の劣化を引き起こすことがない。また、安全でかつ、廃水処理コストも大幅に低減できる。
Claim (excerpt):
水を電気分解してなる電解イオン水とフッ素化合物とを含有することを特徴とする洗浄組成物。
IPC (4):
C11D 7/08
, C11D 7/10
, H01L 21/304 341
, H01L 21/308
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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特開平3-179737
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洗浄装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-244971
Applicant:株式会社東芝
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