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J-GLOBAL ID：200903012920598459

強磁性スピントンネル効果素子

Inventor： 鈴木 基史 ,  大脇 健史 ,  多賀 康訓 ,  只野 博 ,  加地 徹 ,  田中 雄一 ,  冨田 一義
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997023256
Publication number (International publication number)：1998206513
Application date： Jan. 21, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】強磁性スピントンネル効果素子の素子安定性を向上させること。【解決手段】第1強磁性薄膜12と第2強磁性薄膜14とを絶縁層13を介して対向させ、第2強磁性薄膜14の上に強磁性絶縁層21を介して希薄磁性半導体層22を形成した。この希薄磁性半導体層22へ注入される電子のスピンの方向を制御することで、第2強磁性薄膜14だけを意図した方向に磁化させることができる。これにより磁場検出の制御性が向上し、記憶装置、電流変調素子への応用が拡大される。

Claim (excerpt)：

第1強磁性体と第2強磁性体とを絶縁層を介して対向させ、前記第1強磁性体と前記第2強磁性体との間の磁化方向の関係によって前記絶縁層を介して流れるトンネル電流が変化する強磁性スピントンネル効果を用いた素子において、前記第1強磁性体と前記第2強磁性体の少なくとも一方の上面に強磁性絶縁体を介して、前記強磁性絶縁体が直接、接合する前記第1強磁性体又は前記第2強磁性体の磁化方向を制御する磁化方向制御層を設けたことを特徴とする強磁性スピントンネル効果素子。

IPC (4)：

G01R 33/06 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  H01L 43/08

FI (4)：

G01R 33/06 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  H01L 43/08 Z