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J-GLOBAL ID：200903012920614659

成膜方法、真空成膜装置の制御装置、及び真空成膜装置

Inventor： 床本 勲
Applicant, Patent owner： 新明和工業株式会社
Agent (1)： 角田 嘉宏 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001006231
Publication number (International publication number)：2002212712
Application date： Jan. 15, 2001
Publication date： Jul. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】 イオンプレーティングにより成膜するにあたり、プラズマ放電を安定して維持させるように成膜条件の制御を行うことである。【解決手段】 真空チャンバ内に配置された基板にイオンプレーティングにより成膜するにあたり、以下の工程により行う。基板への成膜を第一のガス圧力G1下で第一の高周波電力P1を供給してする主工程IIと、主工程IIに先駆けて所定のガス圧力下で所定の高周波電力を供給してプラズマ放電を生成させる予備工程Iとを含む工程によって行う。予備工程Iにおいて、その開始時のガス圧力を第一のガス圧力G1より大きくし、その開始時の高周波電力を前記第一の高周波電力P1以上とする。そして、主工程IIの開始時までに、ガス圧力を第一のガス圧力G1にまで減少させ、高周波電力を第一の高周波電力P1に調整する。

Claim (excerpt)：

真空チャンバ内を所定のガス圧力とし、少なくとも所定の高周波電力を前記真空チャンバ内に供給して前記真空チャンバ内に配置された基板にイオンプレーティングにより成膜する成膜方法であって、前記基板への成膜を第一のガス圧力下で第一の高周波電力を供給してする主工程と、該主工程に先駆けて所定のガス圧力下で所定の高周波電力を供給してプラズマ放電を生成させる予備工程とを含んでなり、前記予備工程において、その開始時のガス圧力を前記第一のガス圧力より大きくし、その開始時の高周波電力を前記第一の高周波電力以上とし、前記主工程の開始時までに、ガス圧力を前記第一のガス圧力にまで減少させ、高周波電力を前記第一の高周波電力に調整することを特徴とする成膜方法。

IPC (4)：

C23C 14/32 ,  B01J 19/08 ,  H01L 21/285 ,  H05H 1/46

FI (4)：

C23C 14/32 B ,  B01J 19/08 H ,  H01L 21/285 B ,  H05H 1/46 A

F-Term (16)：

4G075AA24 ,  4G075AA61 ,  4G075BC03 ,  4G075CA25 ,  4G075CA47 ,  4G075CA65 ,  4G075DA11 ,  4G075EB01 ,  4G075EC21 ,  4G075FC11 ,  4K029CA03 ,  4K029DD02 ,  4K029EA03 ,  4K029EA09 ,  4K029FA05 ,  4M104DD36

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭52-052269
  
• 特開昭52-020294
  
• 特開昭61-196201