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J-GLOBAL ID：200903012923867442

Ir膜又は酸化Ir膜形成用組成物、並びに、この組成物より形成したIr膜、酸化Ir膜、Ir膜パターン及び酸化Ir膜パターン

Inventor： 内田 寛人 ,  齋 篤 ,  小木 勝実
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 重野 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995082546
Publication number (International publication number)：1996277473
Application date： Apr. 07, 1995
Publication date： Oct. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 比較的低温の熱処理により低抵抗かつ平滑なIr膜又はIrO2 膜を形成可能とする。放射線照射による露光後、現像して熱処理することにより、パターン化可能とする。【構成】 構造式(1),(2)又は(3)のIr(I)シクロペンタジエニル錯体と有機溶剤を含むIr膜又はIrO2 膜形成用組成物。この組成物を基板に塗布して水素還元雰囲気又は酸化雰囲気で熱処理してIr膜又はIrO2 膜とする。この組成物を基板に塗布後、パターン露光、現像し、その後熱処理してIr膜又はIrO2 膜パターンとする。【化3】【効果】 Ir(I)シクロペンタジエニル錯体は活性が高く分解され易いため、低温の熱処理で成膜できる。放射線照射で容易にIrを析出するため、パターン露光、現像により容易に回路パターンを形成できる。

Claim (excerpt)：

下記の構造式(1),(2)又は(3)で表されるIr(I)シクロペンタジエニル錯体と有機溶剤とを含むことを特徴とするIr膜又は酸化Ir膜形成用組成物。【化1】

IPC (5)：

C23C 18/08 ,  C23C 18/12 ,  C23C 30/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/316

FI (6)：

C23C 18/08 ,  C23C 18/12 ,  C23C 30/00 A ,  C23C 30/00 C ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/316 C