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J-GLOBAL ID：200903012928501659

エッチング方法及びエッチング装置

Inventor： 一木 克則 ,  山内 和雄 ,  檜山 浩国 ,  寒川 誠二
Applicant, Patent owner： 株式会社荏原製作所 ,  東北大学長
Agent (1)： 渡邉 勇 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001353809
Publication number (International publication number)：2003158099
Application date： Nov. 19, 2001
Publication date： May. 30, 2003
Summary：

【要約】【課題】 被処理物にチャージアップやエッチング形状異常を与えることなく、微細パターンに対して高精度の加工とマスクや下地層に対する高選択比の加工とを両立することができるエッチング方法及びエッチング装置を提供する。【解決手段】 所定のガスから、コリメートされた10eV以上50eV以下の中性粒子ビームを生成し、該中性粒子ビームを被処理層60に照射して、被処理層60の表面をエッチングする第1の工程と、被処理層60の側壁を中性粒子ビームによる侵食から保護する保護膜80を被処理層60の側壁に形成する第2の工程とを有する。

Claim (excerpt)：

所定のガスから、コリメートされた10eV以上50eV以下の中性粒子ビームを生成し、該中性粒子ビームを被処理物に照射して該被処理物の被処理層の表面をエッチングする第1の工程と、前記被処理層の側壁を前記中性粒子ビームによる侵食から保護する保護膜を前記被処理層の側壁に形成する第2の工程とを有することを特徴とするエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/28

FI (2)：

H01L 21/28 F ,  H01L 21/302

F-Term (11)：

4M104BB01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD67 ,  5F004AA06 ,  5F004BA04 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB12 ,  5F004DA18 ,  5F004DB01 ,  5F004DB03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 特開昭62-102529
  
• 特開昭60-126835
  
• 特開昭60-154622
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-178463   Applicant：ソニー株式会社
• ドライエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-321257   Applicant：ソニー株式会社
• ドライエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-329139   Applicant：ソニー株式会社
• 有機系反射防止膜のプラズマエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-120762   Applicant：ソニー株式会社
• プラズマ処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-055407   Applicant：株式会社日立製作所

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• High-Efficiency Low Energy Neutral Beam Generation Using Negative Ions in Pulsed Plasma