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J-GLOBAL ID：200903012928656300

新規なオニウム塩及びそれを用いたポジ型レジスト材料

Inventor： 八木橋 不二夫 ,  降籏 智欣 ,  渡辺 淳 ,  田中 啓順 ,  河合 義夫 ,  松田 維人
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社 ,  日本電信電話株式会社
Agent (1)： 滝田 清暉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993242101
Publication number (International publication number)：1994287174
Application date： Sep. 02, 1993
Publication date： Oct. 11, 1994
Summary：

【要約】【目的】ポジ型レジスト用として使用する酸発生剤として好適な、新規なオニウム塩を提供すること、及びそれを用いた、従来にない、高感度、高解像性、及び優れたプロセス適性を有する、高エネルギー線用ポジ型レジスト材料を提供すること。【構成】一般式(R)3 S+ Mで表される新規なオニウム塩及びそれを用いたポジ型レジスト材料;但し、一般式中のRは芳香族基であり、各Rの少なくとも一つはt-アルコキシ基で置換されたフェニル基であり、各Rは同じであっても異なっても良い;また、Mはスルホニウムの陰イオンである。

Claim (excerpt)：

一般式(R)3 S+ Mで表される新規なオニウム塩;但し、一般式中のRは芳香族基であり、各Rの少なくとも一つはt-アルコキシ基で置換されたフェニル基であり、各Rは同じであっても異なっても良い;また、Mはスルホニウムの陰イオンである。

IPC (7)：

C07C381/12 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027 ,  C08K 5/36 ,  C08L 25/18 LEK