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J-GLOBAL ID：200903012939370475

半導体発光素子

Inventor： 山田 元量
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Agent (1)： 豊栖 康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001242108
Publication number (International publication number)：2003060227
Application date： Aug. 09, 2001
Publication date： Feb. 28, 2003
Summary：

【要約】【課題】 内部での光の吸収をできる限り少なくして、発光出力を高くする。【解決手段】 半導体発光素子は、光を透過させる透光性を有する基板1と、この基板1に積層されてなる窒化物半導体の発光領域層2と、この発光領域層2の表面に設けている光を吸収する電極とを備える。さらに、半導体発光素子は、基板1と発光領域層2との間に、発光領域層2の最基板側層よりも屈折率が小さい低屈折率層3、あるいは反射防止層4、あるいは発光領域層2から基板1に入射する光を散乱させる光散乱層5を設けている。

Claim (excerpt)：

光を透過させる透光性を有する基板(1)と、この基板(1)に積層されてなる窒化物半導体の発光領域層(2)と、この発光領域層(2)の表面に設けている光を吸収する電極とを備える半導体発光素子であって、基板(1)と発光領域層(2)との間に、発光領域層(2)の最基板側層よりも屈折率が小さい低屈折率層(3)を配設してなることを特徴とする半導体発光素子。

F-Term (7)：

5F041AA04 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA94 ,  5F041CB16