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J-GLOBAL ID：200903012939591145

容量装置の製造方法

Inventor： 藤井 英治 ,  大槻 達男 ,  那須 徹 ,  嶋田 恭博 ,  上本 康裕 ,  林 慎一郎
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992044468
Publication number (International publication number)：1993243088
Application date： Mar. 02, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：

【要約】【目的】 結晶性の良い強誘電体薄膜を容量絶縁膜として形成できる容量装置の製造方法を提供する。【構成】 集積回路等を搭載した支持基板11の一表面上に第1の金属膜12を選択的または全面に形成する工程と、その第1の金属膜12の表面に強誘電体薄膜13を形成する工程と、その強誘電体薄膜13の表面にエネルギービームを照射して結晶化させる工程と、その結晶化した強誘電体薄膜15上に第2の金属膜16を選択的または全面に形成する工程とを少くとも有する。

Claim (excerpt)：

支持基板の一表面上に第1の金属膜を選択的または全面に形成する工程と、その第1の金属膜の表面に強誘電体薄膜を形成する工程と、その強誘電体薄膜の表面にエネルギービームを照射して結晶化させる工程と、その結晶化した強誘電体薄膜上に第2の金属膜を選択的または全面に形成する工程とを少くとも有することを特徴とする容量装置の製造方法。

IPC (2)：

H01G 7/06 ,  H01G 4/06 102