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J-GLOBAL ID：200903012945947199

半導体装置

Inventor： 谷 周一
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001141110
Publication number (International publication number)：2002343826
Application date： May. 11, 2001
Publication date： Nov. 29, 2002
Summary：

【要約】【課題】 半田バンプに作用する熱応力を軽減し、半田バンプに疲労損傷を与えないように改良された半導体装置を提供することを主要な目的とする。【解決手段】 配線基板4に、半田バンプ2を介在させて半導体チップ1が接続されている。半導体チップ1の周辺に、半田バンプ2を取り囲むように、環状の補強半田接合部5が設けられている。

Claim (excerpt)：

配線基板と、前記配線基板に、半田バンプを介在させて接続された半導体チップと、前記半導体チップの周辺に前記半田バンプを取り囲むように設けられた環状の補強半田接合部と、を備えた半導体装置。

F-Term (2)：

5F044QQ02 ,  5F044RR19