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J-GLOBAL ID：200903012947316099
フォトマスクおよびレジストパターン形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998235487
Publication number (International publication number)：2000066367
Application date： Aug. 21, 1998
Publication date： Mar. 03, 2000
Summary：
【要約】【課題】マスクパターンをレジスト上に投影露光する際に、パターンの疎密に依存した線幅のずれと、下地の段差に依存した線幅のずれの両方が低減されるフォトマスク(レチクル)およびこれを用いたレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】段差を有する基板上に塗布されたレジスト4に、パターンを投影露光するために用いられるフォトマスク(レチクル)5において、前記レジスト4の下地段差に応じて形成される、レジスト膜厚の異なる部分に対して、異なる補正量の補正が設計寸法に加えられているフォトマスクおよびこれを用いたレジストパターン形成方法。
Claim (excerpt)：
段差を有する基板上に塗布されたレジストに、パターンを投影露光するために用いられるフォトマスク(レチクル)において、前記レジストの下地の段差に応じて形成されるレジスト膜厚の異なる部分に対して、異なる補正量の補正が設計寸法に加えられているフォトマスク。
IPC (2)：
FI (3)：
G03F 1/08 A
, G03F 1/08 D
, H01L 21/30 502 P
