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J-GLOBAL ID：200903012953620964
酸化防止方法およびドライエッチング方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993042136
Publication number (International publication number)：1994232098
Application date： Feb. 05, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、銅系材料よりなる膜を形成してからエッチングマスクを形成するまでの間の銅系材料よりなる膜の酸化を防止し、ドライエッチングによって銅系材料よりなる膜で形成される配線の信頼性の向上を図る。【構成】 基板11に銅系材料よりなる膜21を形成し、続いてその表面を酸素および水分を通さない有機膜22で被覆し、その後有機膜22上にエッチングマスク23を形成する。または、銅系材料よりなる膜21を形成し、続いてその上にエッチングマスク(図示せず)を形成し、さらに少なくとも銅系材料よりなる膜21の露出している表面を有機膜(図示せず)で被覆する。そして、少なくとも水素もしくは窒素のどちらか一方あるいは両方で構成されるガス、またはそれらのガスに希ガスを混合してなるガスをエッチングガスに用いて有機膜をエッチングする。その後銅系材料よりなる膜21をエッチングする。
Claim (excerpt)：
基板に銅系材料よりなる膜を形成した後、当該銅系材料よりなる膜を有機膜で被覆し、その後前記有機膜上にエッチングマスクを形成することを特徴とする酸化防止方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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