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J-GLOBAL ID：200903012960539196
半導体レーザ内部共振型SHG光源
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994127273
Publication number (International publication number)：1995335963
Application date： Jun. 09, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：
【要約】【目的】赤外の半導体レーザ光を可視光に変換する擬位相整合型第二高調波素子において、第二高調波変換効率を高め発振波長を安定化するとともに、第二高調波の相対雑音強度を低減する。【構成】非線形光学基板1上に光導波路2を形成し、光導波路2内に分極反転格子と分布ブラッグ反射器となる回折格子を隣接して設置する。半導体レーザ5の分極反転格子に近接する側の端部は低反射率、反対側の端部は高反射率とし、高反射率端と分布ブラッグ反射器でレーザ発振の共振器とする。共振器の内部に波長変換素子である分極反転格子を配置し、大きな基本波14の出力のもとで第二高調波15を高効率に発生させる。
Claim (excerpt)：
半導体レーザを基本波光源とする第二高調波発生装置であって、一方の端面を高反射端とし他方の端面を低反射端とした半導体レーザチップと、前記半導体レーザチップに対しレーザ発振を起こすための光共振器を前記半導体レーザチップの高反射端とで構成する光学手段と、前記光共振器を構成する光学手段と前記半導体レーザチップの間の前記光共振器の内部に、前記半導体レーザチップの低反射端側に近接・対向して設けられた第二高調波発生素子とからなるSHG光源であり、基本波が他の発振モードを-25dB以下に抑圧した縦単一モードであることを特徴とする半導体レーザ内部共振型SHG光源。
IPC (3)：
H01S 3/103
, H01S 3/109
, H01S 3/18
