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J-GLOBAL ID：200903012967336363
半導体素子の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
清水 守 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991257328
Publication number (International publication number)：1993251569
Application date： Oct. 04, 1991
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：
【要約】【目的】 深さの異なるコンタクト孔に選択WCVD法を用いる際、深いコンタクト孔、浅いコンタクト孔両方とも断線のない良好な半導体素子の製造方法を提供する。【構成】 基板上に層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜に浅いコンタクト孔と深いコンタクト孔の深さの異なるコンタクト孔を有する半導体素子の製造方法において、前記浅いコンタクト孔38の径は深いコンタクト孔37の径よりも小さく形成する工程と、これらのコンタクト孔37,38を選択WCVD法にて同時にW膜39,40で埋め込む工程とを施す。
Claim (excerpt)：
基板上に層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜に浅いコンタクト孔と深いコンタクト孔の深さの異なるコンタクト孔を有する半導体素子の製造方法において、(a)前記浅いコンタクト孔の径は深いコンタクト孔の径よりも小さく形成する工程と、(b)これらのコンタクト孔を同時に金属膜で埋め込む工程とを施すことを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/90
, H01L 21/285 301
