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J-GLOBAL ID：200903012982724566

半導体製造装置

Inventor： 山崎 舜平
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Agent (1)： 加藤 恭介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992333723
Publication number (International publication number)：1994124888
Application date： Apr. 26, 1984
Publication date： May. 06, 1994
Summary：

【要約】【目 的】 非単結晶半導体を所望の厚さで、しかも均一な光アニールにより結晶化を促進させる半導体製造装置を提供する。【構 成】 紫外光発生部(54)によって発生した紫外光のみの光を線状に集光する光学装置(53、55、56、59)と、光照射によって光起電力を発生させ得る非単結晶半導体が前記集光された線状紫外光(57)で照射されるように配設すると共に、前記非単結晶半導体を前記線状の紫外光の長手方向に対して略直角方向に移動する移動テーブル(61)と、前記非単結晶半導体の表面近傍を光アニールして結晶性を促進せしめるように、前記集光された線状紫外光(57)が走査されるように前記移動テーブル(61)を駆動する移動テーブル駆動装置とから構成される。

Claim (excerpt)：

紫外光発生部によって発生した紫外光のみの光を線状に集光する光学装置と、光照射によって光起電力を発生させ得る非単結晶半導体が前記集光された線状紫外光で照射されるように配設すると共に、前記非単結晶半導体を前記線状の紫外光の長手方向に対して略直角方向に移動する移動テーブルと、前記非単結晶半導体の表面近傍を光アニールして結晶性を促進せしめるように、前記集光された線状紫外光が走査されるように前記移動テーブルを駆動する移動テーブル駆動装置と、から構成されることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (2)：

H01L 21/20 ,  H01L 31/04