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J-GLOBAL ID：200903013011250645
マイクロ波アニールによる極浅半導体接合の形成
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
坂口 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997306783
Publication number (International publication number)：1998189473
Application date： Nov. 10, 1997
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：
【要約】【課題】 マイクロ波アニール・プロセスにより、きわめて浅く急峻でありドーパントの表面濃度が高い接合を有する電子デバイスを提供する。【解決手段】 本発明は、イオン注入されたウエハをアニールするためにマイクロ波エネルギーを利用する方法である。時間、電力密度、及び温度の領域を制御することによって、ドーパントのシリコンへの拡散を制限(及び実質的に防止)しながら、ウエハをほぼ完全にアニールすることが可能である。これにより高性能でスケーリングされた半導体素子が提供される。また、条件を変えることで、シリコンにドーパント・プロファイル(拡散)を与え、制御することも可能である。本発明の他の側面は、半導体ウエハに、プロファイル深さが50nm未満、正味ドーピング濃度が6nmより約1桁以上変化し、該ドーパントの表面濃度が約1×1020/cm3を超える、PN接合を形成する方法である。
Claim (excerpt)：
ドーパント・プロファイル深さが約50nm、及びPN接合の正味ドーピング濃度が10nmで約1桁以上変化するプロファイルを有し、該ドーパントの表面濃度は約1×1020/cm3を超える、半導体ウエハにPN接合を形成する方法であって、表面を有する半導体ウエハと、上記表面にドーパントを注入するステップと、上記表面にエネルギー源を当てるステップと、を含み、上記エネルギー源は、上記ドーパントが約50nmを超えて拡散する前に、上記表面がほぼ完全にアニールされる速度でエネルギーを供給するよう適用される、方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/265 602 Z
, H01L 29/78 301 F
Cited by examiner (9)
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