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J-GLOBAL ID：200903013011704751
窒化物半導体素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996218214
Publication number (International publication number)：1998065213
Application date： Aug. 20, 1996
Publication date： Mar. 06, 1998
Summary：
【要約】【目的】 Vfの低い窒化物半導体素子を実現して、発熱量の少ない素子を提供し、素子寿命を向上させると共に、LDのような高温動作のデバイスの連続発振を目指す。【構成】 負電極が表面に形成されたn型コンタクト層と、正電極が表面に形成されたp型窒化物半導体よりなるp型コンタクト層とを有する窒化物半導体素子において、前記負電極と、n型コンタクト層との界面には凹凸が設けられていることにより、抵抗値が低下して、Vfが低下する。
Claim (excerpt)：
負電極が表面に形成されたn型コンタクト層と、正電極が表面に形成されたp型コンタクト層とを有する窒化物半導体素子において、前記負電極と、n型コンタクト層との界面には凹凸が設けられていることを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (4)：
H01L 33/00
, H01L 31/04
, H01L 31/10
, H01S 3/18
H01L 33/00 C
, H01S 3/18
, H01L 31/04 E
, H01L 31/10 A
