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J-GLOBAL ID：200903013014958142

ノッチ付半導体ウエハ

Inventor： 小又 慎史 ,  谷 毅彦 ,  稲田 知己
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999141062
Publication number (International publication number)：2000331898
Application date： May. 21, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】ノッチ付半導体ウエハの表面と裏面が容易に識別できる、ノッチ付半導体ウエハを提供すること。【解決手段】円形半導体ウエハの結晶方位を識別するため、該半導体ウエハの外周の一端に切り込み加工が施されて成るノッチ付半導体ウエハにおいて、前記ノッチ部分の表面の面取量をA、裏面の面取量をBとしたとき、A≧2・Bの関係を満足するように構成したことにある。

Claim (excerpt)：

円形半導体ウエハの結晶方位を識別するため、該半導体ウエハの外周の一端に切り込み(ノッチ)加工が施されて成るノッチ付半導体ウエハにおいて、前記ノッチ部分の表面の面取量をA、裏面の面取量をBとしたとき、A≧2・Bを満足するように構成して成ることを特徴とするノッチ付半導体ウエハ。

FI (2)：

H01L 21/02 A ,  H01L 21/02 B