高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： , , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：小島隆司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000349459
Publication number (International publication number)：2002145962
Application date： Nov. 16, 2000
Publication date： May. 22, 2002
Summary：

【要約】【解決手段】下記一般式(1)で示される繰り返し単位を含むことを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R1は単結合又はアルキレン基、R2、R3は水素原子、フッ素原子、アルキル基、又はフッ素化されたアルキル基、R2、R3の両方又はどちらか一方に1個以上のフッ素原子を含む。R4は酸不安定基である。R5は水素原子、又はアルキル基であり、酸素、窒素、硫黄などのヘテロ原子を含んでいてもよい。Xはメチレン基、エチレン基、酸素原子又は硫黄原子である。)【効果】本発明のパターン形成方法に用いられるレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、180nm以下、特には160nm以下の波長における感度、解像性及びプラズマエッチング耐性に優れている。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位を含むことを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R<SP>1</SP>は単結合又は炭素数1〜4のアルキレン基、R<SP>2</SP>、R<SP>3</SP>は水素原子、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、又は炭素数1〜4のフッ素化されたアルキル基であり、R<SP>2</SP>、R<SP>3</SP>の両方又はどちらか一方に1個以上のフッ素原子を含む。R<SP>4</SP>は酸不安定基であり、0<a/(a+b+c)<0.6、0≦b/(a+b+c)<0.4、0.2≦c/(a+b+c)≦0.7である。dとeは0又は1、fとgは1又は2である。R<SP>5</SP>は水素原子、又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基であり、酸素、窒素、硫黄などのヘテロ原子を含んでいてもよい。Xはメチレン基、エチレン基、酸素原子又は硫黄原子である。)

IPC (6)：

C08F222/40 , C08F232/00 , C08K 5/00 , C08L 45/00 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (6)：

C08F222/40 , C08F232/00 , C08K 5/00 , C08L 45/00 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

F-Term (58)：

2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BF11 , 2H025BG00 , 2H025CB45 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 4J002BH021 , 4J002BK001 , 4J002EB007 , 4J002EB066 , 4J002EB116 , 4J002EC036 , 4J002ED026 , 4J002ED036 , 4J002EE036 , 4J002EH036 , 4J002EH046 , 4J002EJ038 , 4J002EJ056 , 4J002EN029 , 4J002EN139 , 4J002EQ017 , 4J002ER007 , 4J002EV237 , 4J002EV247 , 4J002EV297 , 4J002FD207 , 4J002FD208 , 4J002FD310 , 4J002GP03 , 4J100AR09Q , 4J100AR09R , 4J100AR11Q , 4J100AR11R , 4J100AR36P , 4J100BA02R , 4J100BA03Q , 4J100BA15R , 4J100BA22R , 4J100BB18Q , 4J100BB18R , 4J100BC03R , 4J100BC04R , 4J100BC08R , 4J100BC09R , 4J100BC12R , 4J100BC22R , 4J100BC23R , 4J100BC53R , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100JA38

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