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J-GLOBAL ID：200903013037782483

高周波回路

Inventor： 佐々木 健児 ,  志垣 雅文
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡田 光由 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995331415
Publication number (International publication number)：1997172335
Application date： Dec. 20, 1995
Publication date： Jun. 30, 1997
Summary：

【要約】【課題】本発明は、マイクロストリップラインを用いるバイアス供給方式を採る高周波回路に関し、高周波回路が高調波処理構成を採る場合に、その回路性能を発揮できるようにすること目的とする。【解決手段】トランジスタ100 と、トランジスタ100 に波長λの高周波信号を伝送する主線路200 と、主線路200 から分岐する形で設けられて、トランジスタ100 にバイアス電圧を供給するバイアス線路300 と、主線路200 からλ/4の距離離れた位置でバイアス線路300 から分岐する形で設けられて、λ/4の長さを持つオープンスタブ400 とを備える高周波回路において、λ/8の長さを持つ第2のオープンスタブ500 を、オープンスタブ400 からバイアス供給側にλ/8の距離離れた位置でバイアス線路300 から分岐する形で設けるように構成する。

Claim (excerpt)：

トランジスタと、該トランジスタに波長λの高周波信号を伝送する主線路と、該主線路から分岐する形で設けられて、該トランジスタにバイアス電圧を供給するバイアス線路と、該主線路からλ/4の距離離れた位置で該バイアス線路から分岐する形で設けられて、λ/4の長さを持つオープンスタブとを備える高周波回路において、λ/8の長さを持つ第2のオープンスタブを、上記オープンスタブからバイアス供給側にλ/8の距離離れた位置で上記バイアス線路から分岐する形で設けることを、特徴とする高周波回路。

IPC (3)：

H03F 3/60 ,  H01P 1/00 ,  H01P 5/02 603

FI (3)：

H03F 3/60 ,  H01P 1/00 Z ,  H01P 5/02 603 E