Pat
J-GLOBAL ID：200903013056621040
半導体発光素子および発光装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997118025
Publication number (International publication number)：1998308560
Application date： May. 08, 1997
Publication date： Nov. 17, 1998
Summary：
【要約】【課題】 製造工程と組立工程がいずれも簡易であり、チップ・サイズの縮小が容易で、高密度集積化ならびに高速駆動が可能である半導体光素子を提供することを目的とする。【解決手段】 サファイアなどの絶縁性の基板上に窒化物系半導体の積層構造体を堆積した構造を有する半導体発光素子において、基板の一部に窒化物系半導体層まで達する開口を設け、その開口を介して一端の電極を形成することによって、p側電極とn側電極とをそれぞれ発光素子の反対面側に形成する。さらに、基板側にp側電極が配置されるように形成することによって、電流をの拡散を抑制して容易に閉じこめることができ、高性能かつ集積化の容易な半導体レーザを簡易な工程で製造することができる。
Claim (excerpt)：
絶縁性の基板と、前記基板の第1の主面上に堆積された少なくとも1層の第1導電型の窒化物系半導体の層と、発光を生ずる活性層としての窒化物系半導体の層と、前記活性層としての窒化物系半導体の層の上に堆積された少なくとも1層の第2導電型の窒化物系半導体の層と、を有し、前記基板の一部に設けられた開口であって、前記基板を貫通して前記少なくとも1層の第1導電型の窒化物系半導体の層のいずれかに到達する開口と、前記基板の第2の主面上に堆積された導電性の材料により構成され、前記開口の底部において、前記少なくとも1層の第1導電型の窒化物系半導体の層のいずれかに接続されている第1の電極層と、前記第2導電型の窒化物系半導体の層の上に形成され、前記少なくとも1層の第2導電型の窒化物系半導体の層のいずれかに接続されている第2の電極層と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
Return to Previous Page
