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J-GLOBAL ID：200903013073144949
半導体装置およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991248668
Publication number (International publication number)：1993090262
Application date： Sep. 27, 1991
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：
【要約】【目的】下層配線の疎密によらず微細多層配線を精度良く実現する。【構成】素子を形成した半導体基板1にあらかじめ配線膜厚以上の第1の絶縁膜7を形成しておき、この上部に電解メッキの給電層となる第1の導電膜8を形成する。配線形成領域に凹状の溝10を形成したのち、絶縁膜との密着性及び給電のため第2の導電膜11を形成する。次で溝の側部に絶縁膜からなるサイドウオール13を形成する。次で溝内に電解メッキにより配線となるメッキ導体14を形成する。これにより絶縁膜表面と配線表面の高さを等しくできるため完全平坦な多層配線が実現できる。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成された絶縁膜と、この絶縁膜に形成された凹状の溝と、この溝内に埋込まれた配線とを含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 21/3205
, H01L 21/302
, H01L 21/318
