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J-GLOBAL ID：200903013076861528

半導体装置及び半田による接合方法

Inventor： 赤松 俊也
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998323197
Publication number (International publication number)：2000150574
Application date： Nov. 13, 1998
Publication date： May. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 電極への半田の濡れ性を確保するとともに、バリア層のNi等の半田中への拡散を抑制して半田接合の機械的強度を向上させる。【解決手段】 第1の基板21と第2の基板26にそれぞれ形成された少なくともNi膜又はNi合金膜23a,28を有する電極同士がSnを主成分とする半田25bにより接合されてなる半導体装置において、Ni膜又はNi合金膜23a,28と半田25bとの間に半田25bと接するようにAu-Sn化合物膜31a,31bが介在している。

Claim (excerpt)：

第1の基板と第2の基板にそれぞれ形成された少なくともNi膜又はNi合金膜を有する電極同士がSnを主成分とする半田により接合されてなる半導体装置において、前記Ni膜又はNi合金膜と前記半田との間に前記半田と接するようにAu-Sn化合物膜が介在していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60

FI (3)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/92 602 H

F-Term (5)：

5F044KK04 ,  5F044LL04 ,  5F044QQ03 ,  5F044QQ04 ,  5F044QQ05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平3-066492