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J-GLOBAL ID：200903013083927895

半導体部材、半導体装置およびそれらの製造方法

Inventor： 桃井 一隆 ,  佐藤 信彦 ,  本間 則秋 ,  米原 隆夫 ,  伊藤 正孝
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001107340
Publication number (International publication number)：2002359247
Application date： Apr. 05, 2001
Publication date： Dec. 13, 2002
Summary：

【要約】【課題】デバイス活性領域が重金属によって汚染されない半導体部材、半導体装置及びそれらの製造方法を提供する。【解決手段】支持基板、該支持基板上に形成された絶縁層および該絶縁層上に形成された半導体層から構成される半導体部材において、該半導体部材に内在する一つの界面に沿って複数の微小空隙が配された単一層領域が存在する。その半導体部材の製造方法は、該半導体層を有する移設層領域を備えた第1の基板と、第2の基板と、を用意する工程と、該移設層領域を該第1の基板から該第2の基板に移す移設工程と、から構成され、該移設工程には、該第1の基板と該第2の基板とをそれらの間に該複数の微小空隙が配されるように貼り合わせる、貼り合わせ工程と、該微小空隙が配された該単一層領域に金属不純物を捕獲するゲッタリング工程と、が含まれる。

Claim (excerpt)：

支持基板、該支持基板上に形成された絶縁層および該絶縁層上に形成された半導体層を備えた半導体部材において、該半導体部材は、金属不純物を捕獲する為の、該半導体部材に内在する一つの界面に沿って複数の微小空隙が配された単一層領域を有することを特徴とする半導体部材。

IPC (6)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/762 ,  H01L 27/12

FI (6)：

H01L 21/322 G ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 B ,  H01L 21/76 D ,  H01L 21/76 P

F-Term (10)：

5F032AA03 ,  5F032AA06 ,  5F032AA09 ,  5F032CA17 ,  5F032DA13 ,  5F032DA54 ,  5F032DA55 ,  5F032DA67 ,  5F032DA71 ,  5F052KB05