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J-GLOBAL ID：200903013084179582

半導体デバイス

Inventor： 上村 辰之
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 中村 茂信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992254680
Publication number (International publication number)：1994112512
Application date： Sep. 24, 1992
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 精度の良い高抵抗エピタキシャル成長層が得られる半導体デバイスを提供することである。【構成】 N+ 層(サブウエハ)10の裏面、側面及び表面の周縁部分に熱酸化膜11を形成し、N+ 層10の表面に高抵抗のN- 層12をエピタキシャル成長させた。【作用】 N- 層12をエピタキシャル成長させる際に、N- 層12に対する不純物ガスのオートドープが熱酸化膜11によって阻止される。

Claim (excerpt)：

サブウエハと、サブウエハの裏面、側面、及び少なくとも表面の周縁部分に設けられた絶縁膜と、サブウエハの表面に形成された高抵抗エピタキシャル成長層とを備えることを特徴とする半導体デバイス。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特公昭55-017498
  
• 特開昭52-027356
  
• 特開昭53-126871